Gli IGBT - transistor bipolari singoli o a gate isolato singolo, sono un tipo di dispositivo elettronico di potenza comunemente utilizzato in molti tipi di apparecchiature elettroniche. Questi semiconduttori discreti fungono da componente cruciale nelle applicazioni di commutazione, dove possono accendere o spegnere il flusso di corrente elettrica. La loro funzione principale è quella di controllare l'energia elettrica combinando le semplici caratteristiche di gate drive dei MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) con la capacità di alta corrente e bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari. Grazie alla loro struttura unica, presentano, tra le altre caratteristiche, elevata impedenza di ingresso, facilità di pilotaggio, elevata velocità di commutazione e robustezza.
Gli IGBT - Singoli sono particolarmente adatti per applicazioni che richiedono alta tensione e corrente elevata, come come alimentatori, inverter nei condizionatori d'aria e azionamenti di motori elettrici. Questi dispositivi possono essere trovati anche in altre applicazioni specifiche come sistemi di energia rinnovabile, veicoli elettrici e treni. Le caratteristiche principali degli IGBT - Single includono alta efficienza, prestazioni termiche eccellenti e capacità di lavorare ad alte frequenze. Numerosi produttori, come Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics e Toshiba, sono specializzati nella produzione di IGBT singoli, offrendo un'ampia gamma di opzioni per soddisfare varie specifiche e requisiti operativi.