Un transistor bipolare a gate isolato (IGBT) è un dispositivo semiconduttore ampiamente utilizzato nell'elettronica di potenza. Combina le semplici caratteristiche di gate-drive dei MOSFET con la capacità di corrente elevata e bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari. Gli IGBT vengono utilizzati principalmente per commutare l'energia elettrica in molti apparecchi moderni, dalle auto elettriche ai condizionatori d'aria, dove la conversione efficiente dell'energia è fondamentale. Sono apprezzati per la loro capacità di gestire tensioni e correnti elevate con una potenza di gate drive relativamente bassa.
Gli usi principali degli IGBT includono azionamenti a frequenza variabile (VFD), controller di motori per veicoli elettrici e inverter per energie rinnovabili , in particolare nei sistemi di energia solare ed eolica. Sono apprezzati per la loro efficienza, che aiuta a ridurre al minimo la generazione di calore e a migliorare l'affidabilità dei sistemi elettronici. Le caratteristiche chiave includono alta efficienza, robustezza e capacità di funzionare ad alte frequenze. Tra i principali produttori di IGBT figurano Infineon, Toshiba e Fuji Electric.